SD 封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位 (而非汲极电位) 能通过导热片连接至 PCB。与现有技术相比，此版本最终可使 RDS(on)大大降低 25%。相较于传统的 PQFN 封装，接面与外壳间的热阻 (RthJC)亦获得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高达 194 A 的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置 (SD) PQFN 封装的装置尺寸为 3.3mm x 3.3 mm，可使 RDS(on)大大降低 25%，接面与外壳间的热阻 RDS(on)亦获得大幅改善

供货情况

OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆采用 PQFN 3.3mm x 3.3 mm封装，已开始接受订购。